hiệu ứng trường K3568

Giới thiệu hiệu ứng trường K3568

Thông số kỹ thuật K3568:
Điện áp đánh thủng: 500V.
Điện áp VGS = +/-30V
Dòng chịu đựng trung bình: 12A.

Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
Công suất: 40W
Mosfet IRF K3568 là mosfet kênh N hay mosfet ngược.
Mosfet IRF K3568 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet IRF K3568 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
💯 Chuyên cung cấp, bán buôn, bán lẻ linh kiện điện tử, phụ kiện điện tử, đèn led, led thanh, led trần, led pha, led trang trí các loại,v.v...
💯 Giá tốt nhất tại mọi thời điểm
#35thinhyen